Dual CoolTM Gehäuse von Fairchild Semiconductor ermöglichen höhere Leistungsdichte und… »
7 Jan., 2013
Optimierte MV-MOSFETs bieten einen um den Faktor vier geringeren Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung Fürstenfeldbruck – 7. Januar 2013 – Die Entwickler von…