Siliciumcarbid (SiC) Lösungen von Fairchild Semiconductor bieten höchsten Wirkungsgrad und… »
13 Nov, 2012
Erster SiC bipolarer Sperrschichttransistor (BJTs) im Produktportfolio ermöglicht geringste Leistungsverluste bei hohen Betriebstemperaturen Fürstenfeldbruck – 13. November 2012 – Um eine höhere Leistungsdichte…