1200 V Field Stop Trench IGBTs von Fairchild Semiconductor bieten höhere Schaltgeschwindigkeit und bessere Zuverlässigkeit

Die neuen Hochspannungs-IGBTs reduzieren die gesamte Verlustleistung, minimieren die Leiterplattengröße und verringern somit die Systemkosten bei leistungsfähigen Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen und Schweißanlagen

München – 10. Dezember 2013 – Fairchild Semiconductor, ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Leistungselektronik und mobile Produkte, stellt eine neue Serie von 1200 V Field Stop Trench IGBTs vor. Mit den für hart schaltende Industrieanwendungen, wie Solarwechselrichter oder Schweißgeräte, entwickelten Bauteilen lässt sich der Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit von Designs verbessern.

Die neue 1200 V Field Stop IGBT Serie reduziert die Gesamtleitungsverluste durch einen VCE(SAT)-Wert von 1,8 V, der deutlich niedriger ist als bei den bisher erhältlichen schnell schaltenden NPT IGBTs. Damit bieten diese neuen Bauteile einen der niedrigsten VCE(SAT)-Werte im Markt der schnell schaltenden 1200 V IGBTs. Die Ausschaltverluste sind mit einem EOFF-Wert von unter 30 uJ/A ebenfalls sehr gering. Alle Bauteile enthalten zudem eine für schnelles Schalten optimierte Diode im gleichen Gehäuse.

„Die Hersteller von Solarwechselrichtern benötigen neue, innovative Leistungsschalter-Technologien, um die Kosten senken, den Wirkungsgrad verbessern und die Zuverlässigkeit erhöhen zu können“, sagt MH Lee, Director Industrial Power Systems bei Fairchild. „Unsere 1200 V Field Stop Trench IGBT Serie unterstützt unsere Kunden dabei den Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit ihrer Solarwechselrichter zu erhöhen. Zudem können sie einfacher die gesetzlichen Vorschriften und die Anforderungen der Endkunden hinsichtlich einer höheren Energieeinsparung erfüllen.“

Die 1200 V Field Stop Trench IGBT Serie erlaubt den Entwicklern einen Betrieb der Geräte mit höheren Schaltfrequenzen als mit anderen verfügbaren Lösungen. Dadurch lassen sich Größe und Kosten der passiven Bauelemente wie Kondensatoren und Induktivitäten in der Schaltung reduzieren. Die kleineren Bauformen ermöglichen höherer Leistungsdichte bei gleichzeitg minimierten Materialkosten.

Diese neue IGBT-Serie wird zu 100 Prozent für geklemmtes induktives Schalten bei Strompegeln mit dem Vierfachen des Nennstroms geprüft, um einem größeren und sicheren Arbeitsbereich (SOA) zu garantieren.
Die Produkte sind nicht wie die vorhergehende Familie im TO264-Gehäuse sondern im kleineren TO247-Gehäuse mit einer Anschlusslänge von 20 mm und für Nennströme von 15, 25 und 40 A erhältlich.

Die Field Stop Trench IGBTs von Fairchild Semiconductor nutzen führende Technologien, um die Herausforderungen der heutigen Designs hinsichtlich Energieeffizienz und Formfaktor zu erfüllen. Die Bauteile sind Teil der energieeffizienten analogen und diskreten Leistungsbauteile sowie Optoelektronik-Lösungen von Fairchild, die eine maximale Energieeinsparung in Anwendungen mit hoher Leistung ermöglichen.

Preis: ab 1.000 Stück

FGH15T120SMD_F155 – 1200 V/15 A: US-$ 3,30

FGH25T120SMD_F 155 – 1200 V/25 A: US-$ 4,65

FGH40T120SMD_F 155 – 1200 V/40 A: US-$ 6,30

Verfügbarkeit: Muster sind auf Anfrage erhältlich.

Lieferzeit: 8 bis 12 Wochen

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