High Electron Mobility Transistoren

Cree präsentiert neue Generation der 50-V-GaN-HEMT-Technologie

Transistoren ermöglichen signifikante Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen CR5680 50V GaN HEMT DevicesMünchen, 8. November 2012 - Cree, führender Anbieter…

13 Jahren ago