Dual CoolTM Gehäuse von Fairchild Semiconductor ermöglichen höhere Leistungsdichte und Leistung bei DC-DC-Anwendungen

Optimierte MV-MOSFETs bieten einen um den Faktor vier geringeren Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung

Fürstenfeldbruck – 7. Januar 2013 – Die Entwickler von DC-DC-Wandlern müssen die Leistungsdichte kontinuierlich verbessern und gleichzeitig die benötigte Leiterplattenfläche und den Wärmewiderstand reduzieren. Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) hat genau für diese Design-Herausforderungen neue Mittelspannungs PowerTrench® MOSFETs mit Dual Cool™ Gehäuse-Technologie entwickelt.

Fairchild hat sein Dual Cool Gehäuseportfolio, das sich durch ein Standard-Pinout und eine Wärmeabführung über die Gehäuseoberseite auszeichnet, um eine 40 bis 150 V Mittelspannungsserie erweitert. Fortschritte bei der Halbleitertechnologie ermöglichen in Verbindung mit der Dual Cool Technologie ein ausgezeichnetes Schaltverhalten sowie gegenüber der standardmäßigen 5 mm x 6 mm MLP-Bauform einen um den Faktor vier geringeren Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung.

Die Mittelspannungsserie umfasst die folgenden Bauteile: 40 V FDMS8320LDC, 60 V FDMS86500DC, 80 V FDMS86300DC und 100 V FDMS86101DC. Diese MOSFETs für Synchrongleichrichtung eignen sich für den Einsatz in DC-DC-Wandlern sowie als sekundärseitige Gleichrichter für Telekommunikations- und Highend-Server/Workstation-Anwendungen. Weitere Informationen zu Bauteilen im Dual Cool Gehäuse finden Sie unter: www.fairchildsemi.com/dualcool.

Eigenschaften und Vorteile:

FDMS8320LDC (40 V)
– Max. RDS(ON) = 1,1 mOhm bei VGS = 10 V, ID = 44 A
– Max. RDS(ON) = 1,5 mOhm bei VGS = 4,5 V, ID = 37 A

FDMS86500DC (60 V)
– Max. RDS(ON) = 2,3 mOhm bei VGS = 10 V, ID = 29 A
– Max. RDS(ON) = 3,3 mOhm bei VGS = 8 V, ID = 24 A

FDMS86300DC (80V)
– Max. RDS(ON) = 3,1 mOhm bei VGS = 10 V, ID = 24 A
– Max. RDS(ON) = 4,0 mOhm bei VGS = 8 V, ID = 21 A
– Derzeit niedrigster RDS(ON), nur rund 35 % gegenüber anderen Lösungen mit gleicher Nennspannung

FDMS86101DC (100 V)
– Max. RDS(ON) = 7,5 mOhm bei VGS = 10 V, ID = 14,5 A
– Max. RDS(ON) = 12 mOhm bei VGS = 6 V, ID = 11,5 A
Gehäusetypen und Preise (in USD ab 1.000 Stück)
Muster sind auf Anfrage verfügbar – Lieferzeit ca. 8-12 Wochen

Alle Bauteile dieser Produktfamilie sind in einem PQFN 5×6 8L Gehäuse zu folgenden Preisen erhältlich:
– FDMS8320LDC (40 V): $1,09
– FDMS86500DC (60 V): $1,16
– FDMS86300DC (80 V): $1,16
– FDMS86101DC (100 V): $1,09

Die MOSFETS im Dual Cool Gehäuse sind Teil des führenden MOSFET-Portfolios von Fairchild. Durch umfassendes Wissen und langjährige Erfahrungen im Bereich leistungsfähiger DC-DC-Stromversorgungen kann Fairchild durch eine Kombination von innovativen Funktionen, Prozessen und Gehäusetechnologien einzigartige Lösungen für Elektronik-Designs anbieten.

Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM

Anmerkungen für die Redaktion: Ein Datenblatt im PDF-Format finden Sie unter:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS8320LDC.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86300DC.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86300DC.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86101DC.pdf

Über Fairchild Semiconductor:
Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) – weltweite Präsenz, lokale Unterstützung, clevere Ideen. Fairchild liefert energieeffiziente, einfach einsetzbare und wertsteigernde Halbleiter-Lösungen für Leistungselektronik und mobile Designs. Mit unserer Erfahrung in den Bereichen Leistungselektronik und Signalpfad unterstützen wir unsere Kunden bei der Differenzierung ihrer Produkte und der Lösung schwieriger technischer Herausforderungen.

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